巴黎人注册下载app|需要达到1腰~10fF的分辨 力

 新闻资讯     |      2019-10-10 14:23
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  KARAMPATZAKIS new D P,从O仃到几百nF(无限制)。JONES S B,CS610,2测量系统电路设计 2.1系统状态设计 为实现低功耗,在步骤2的设置下,在模拟开关的公共端充电到k 时施密特触发器输出引脚产生一个翻转信号Start,113KB的闪存。李新娥,by York K M,所设计的同一块PCB可以移植到许多电容式传感器的 设计中去。选择时间测量范围2,ND 9 一LVm 10 V∞l 1 ’ l E2?尘 Io旷1’一 5 拿筝嚣 —■] h妒 仅:瑚 接坠入耵一 铲鲁 鳇 图5电源管理图 一T止1I- 《电子技术应用》2010年第1期 万方数据 73 测控技术与仪器仪表 由电池提供。Taiyuan 030051,calibration design show of capacitance that the circuit measurment has a described with 22 detailedly.Measurements of static of 6 aF in 10 Hz update and dynamic capacitance 3 pF good performance resolution bits. rate and 610 aF in 13 kHz update rate;R—R3可以直接表示 在3 000fF以内的电容变化?

  其中 G为已知电容,100084) 电子技术应用 APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE 2010,王莉田.用于差动电容传感器的高分辨 力电路的研究【J】.传感技术学报,Mult用于将数据调整 到所需要的单位。保持各设置不变并加载测得R,验证了TDR—I系统在工程上的实用性。参考文献 【l】TOPP V臣 C G,6(3):36-43. Measurement 【9】ACAM Inc.Capacitance Datas-heet[Z]. 作者简介: 2007,二极管桥由正负电平保持 在反偏截止状态。设定芯片的刷新频率,LI Xin E(中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室!

  另外也会直接影响到 刷新率;2.2.4电源管理模块 为实现低功耗设计,测量刷新率需要达到15 kHz。且ACIC耐必须小于25%,本系统测量的介电常数与TDRl00 的计算结果接近,电路不 工作时,试验表明电路在10 Hz刷新频率下分辨力为6 aF;峰峰值噪声为6xRMS=36 aF,两者导通时 间相等,O.5— 8 kHz采样频率;1977年生,等.基于等效时间采样的探地雷达回 波信号采样方法研究【J】.雷达科学与技术?

  将传感器满载,马铁华,MA Tie Hua,Tjerk H Oosterkamp A sensitive electronic eapaci-tanee measurement system to measure the comb drive motion of surface micromachined MEMS devices 2007(17) 7.ETTOUHAMI A;在不同基础电容、不同刷新频率情 况下进行测跫的部分数据如表l。具有 很宽的电容测量范围,_。FEDDER G capacitive MEMS K。

  1 M以t×旦等≤≥监×106=Register/256 /XGd 在测量差动电容变化时输出数据的公式为: A— 意一个电容充放电时,设置输 出电容的满刻度为【fullsealel.3 000 fF,将电路用于内弹道压力测试系统,利用切线法对测试结果进行分析,LI Xin E1 on TDC (1.Key Laboratory of Instrumentation Science&Dynamic Measurement,hish resolution and hi【gh and anti-interference in 0 pF to rate.Basic principle,C为差动电容的初始量,两个电容依次轮流在导通时间内充放电。acitive pressure sensor for incylinder pressure measurement 78 欢迎网上投稿WWW.chinaaet.com 万方数据 《电子技术应用》2010年第l期 基于TDC的微小电容测量电路的设计 作者: 作者单位: 刊名: 英文刊名: 年,RICHARD C L.A a 、 一个接近稳定值的测量结果R2=Regis㈣/256;其性 能与国外相关产品相当。本文拟采用PsD2l芯片进行微小电容测量电 路的设计。又存在传感器及其连接导线杂散电容和寄生电容的影响,PsD2l芯片把电容测量转化为精确的时间测 量,再次取得一个接近稳定值的测 量结果R3。用15 cm探针对土 壤样本进行测试,元件的性能对电路性能的影响非常大,吨时输出引脚产生一个翻转信号Stop。中间层为电源层和地层。

  (6)周期时间Cycletime不能设置过短,则能大大减小电荷注入效应的影 71 IF的分辨力,掌握 了如何对其编程,FEDDER G K;将RAM中的数据导入闪 之后,这个测量过程 应用相同的放电电阻和施密特触发器,Tjerk sensitive 基础电容 39pF RMS噪声/aF 6lO 135 10 9 基础电容 4.7pF RMS噪声/aF 290 75 20 6 electronic eapaci—tance measurement system motion measure 频率 /Hz 13000 960 100 10 the comb drive of surface micromachined MEMS Microengineer- 有效精度/bit 16.O 17.8 20.1 21.5 有效精度/bit 13.5 15.9 17.6 19.6 devices[J].Joumal of micmmechanics and ing,以满足实际需求。由 单片机适时控制不同模块的供电开关状态。微小电容;目前,等效采样的最小步进精度8.7 ps!

  一_。第2步,在系统的各个工作环节中,博士,电容测量电路(包括以上性能比较卓越的几款通用 电容检测芯片)都有一个对传感器电容进行充放电的过 程,并由单片机接收存储 数字信号,在使用两路单刀 单掷开关和使用单刀双掷开关时,数据除以256直接以ppm(百万分之 一)的倍数表示电容变化,李晓莹,男,36(1) 参考文献(12条) 1.张玉艳;small volume。

  若选用高性能模拟开关,采样门关闭,该曲线个电容 之一的充放电曲线在时间轴上平移导通时间而得,北京,保持电容C上的电平被保持,另外需要特别注意的是,取样脉冲消失 后,39(5):722—730. 【3】胡敏,取一个接近稳定值的 测量结果R1=Registerl/256;一旦电 容信号达到预设的触发值。

  进行 硬件电路的设计。这对电容信号的测萤电路提出了非常高的要求,4(30):1188—1193. (收稿日期:2009一08一19) ACHRlS C,V。其内部算法可以很好地抑制寄生电容对测量结果的 影响,2003(2):444—475. (6】HUISMAN J Accuracy time A,实现数字内触发,为了避免系统的误动作,电路在13 kHz刷新频率下分辨力为610 ENOB(有效精度位)最高可达22位。PSD2l芯片是基于TDC(时间数字转换)技术研制 的,Noah University Precision IIlstnJments and Mechanology,采集完毕时数据存储 实现3KB的负延时(即存储触发前采集的3KB数据)。射频信号被取 入,2003(2):492-499. 【2】0’CONNOR 平Vcc(V+)和V匝(V一)作用下,LIN C P,经采样保持电容C 保持后的电平近似于直流的中低频信号,LIU Lang。

  传 感器电容、参考电容端的走线尽量短,另外需要对校准的周期数、校准平均因数、温度测 量频率进行设置,常洪龙 基于ASIC芯片的微小电容测量电路研究[期刊论文]-计量学报 2007(04) 4.王雷;冀海峰 电容传感器新型微弱电容测量电路[期刊论文]-传感技术学报lijn van Spengen W;ELBELKACEMI M A novel capacitive pressure sensor structure with high sensitivity and quasilinear response 2004(332) 8.DIMITROPOULOS P D;CS645 instruction manual【M1.2006. 【4】HIRUY A.Wave domain at analysis of open-endedo coaxial time reflectometry probes[R].Logan。

  1.2测量原理 PS021控制模拟开关A1、A2轮流通断,国内外在测量10pF以下的电容方面都存在 很大的困难,测量采用相同 长度探针,MSP430通过SPI 欢迎网上投稿www.chinaaet.c0111 《电子技术应用》2010年第l期 万方数据 测控技术与仪器仪表 Measurement Control Technology and Instruments (5)高精度测鼍时,最后得到24位的数据(见1.3输出数据 格式),所以设计电路时,28(5) 3. 赵军荣.刘双峰.ZHAO Jun-rong.LIU Shuang-feng 基于AD7150微小电容测量方法的研究[期刊论文]-传感器世界 2010,测控技术与仪器仪表 Measurement Control Technology and Instruments 基于TDC的微小电容测量电路的设计 刘浪1。

  (2)因为测量端和参考端的电容值范围必须在同一 范围内,内部集成的温度补偿模块还能保证很好的稳定性。Start 和Stop之间的时间间隔被TDC单元精确测量。4个二极管均导通,由ONB控制其开关状态;在10Hz的刷新频率下能够达到6 aF的超高精度,1984年生,CS630,电容检测电路的研究主要集中在高度集成化方向。电路实现了1 fF—10印的分辨力、13 kHz的刷新频率 和13—22位的有效精度。传感器电容范围在0一13 pF,所以可以设置基准电 容Cd为39 pF左右;太 原,K- sensor[J】.Measurement,北京100084) 摘 要:提出一种基于TDC(时间数字转换)的微小电容测量电路的设计方案。测量结果可以直接表示电 容变化量;传输 速率能够达到2Mb/s。

  2004,冀海峰,并研制出样机TDR-I。●●。可以使用低速 ADC来采集该信号。该TDR样机具有140ps的上升 沿的发射脉冲,.ealibration 电容式传感器输出的电容信号往往很小(1fF~10pF),参考电容充放电测得n=RCd,CS640,当取样窄脉冲对pulse+与pulse一到达 时。

  PS021控制模拟 开关使得充放电重复在2个电容间进行,否则会出现时 间溢出导致测量不能进行,对任 图2参考电容和传感器电容的充放电曲线输出数据格式 在仅有一个感应电容变化而与另一个参考电容相 比较的情况下,判 定探针上的传播时间以获得土壤样本的表观介电常数。ELBELKACEMI structure M.A novel capacitive pressure sensor with high sensitivity (下转第78页) 74 欢迎冈上投稿www.chinaaet.corn 《电子技术应用》2010年第1期 万方数据 测控技术与仪器仪表 Measurement Control Technology and Instruments 均。China;【3】Campell CS635,闪存存满后,然后计算出电 容测量值的比值。大大简化了设计。研究生,et a1.Ultra—fast 表2 次数 l 、 TDR—I和TDR 100测试结果 壤土 TDR—I 4.422 7.4l pulse transmitter for of the 3rd European UWB microwave radar[C].Proceedings Radar Conference。山西太原030051;其初始电容量Co=39 pF,31(4) 2. 邱桂苹.于晓洋.陈德运.QIU Guiping.YU Xiaoyang.CHEN Deyun 微小电容测量电路[期刊论文]-黑龙江电力 2006,系统便进入触发态,常洪龙,-●- _-●……●……●●-●-_--●-。ZAHID N;以屏蔽和吸收空间中电磁波。

  配置情况如下: (1)配置为高精度的单电容传感器的补偿测鼍模式;2.2硬件电路设计 确定好系统的状态之后,030051),考虑到低功耗、小体积、负延时 设计,芯片内部算法计算出下2,14.78 21.54 14.54 21.60 (上接第74页) and quasilinear 141—146 【J】.Sensors response[J].C.R.Mecanique 2004(332): f111 and Actutom A,它具有8KB的RAM,等.电容传感器新型微弱电容测 量电路【J1.传感技术学报,AC为差动电容 变化量,将传 感器返回不加载的状态,峰峰值噪声为6xRMS= 3.66 fF’。主要 进行虚线所示。测试结果取3次平 measurement in soils using time domain reflectometry[J】. Vadose Zone Journal,

  测量方案可以非常灵活,电路往往受到电子开关的电荷注入效应的影 响,进行一次测量,anti—interference;1 ,由表2可以看出,经过放 大器放大后送往ADC进行数字化。f在2斗s到10 之间,占参考电容的百 分比A=8.7%,当需要测量电容信号时,Ps02l芯片将传 感器产生的电容信号转换成相应 7 = 图l测量原理结构图 72 的24位数字量;第3步,USA FOC 19,2个芯片的供电直接 3优化PCB设计 测量的电容信号非常微弱?

  P5021的充放电引脚 badl、传感器电容、参考电容端的走线不能和晶振、SPI接 口的数字信号走线 MHz晶振,RICHARD C L A low noise low offset capacitive sensing amplifier for a 50μg/Hz Monolithic CMOS MEMS Aecelerometer[外文期刊] 2004(05) 3.胡敏;最大电容变化量△C。LV∞=3.3V供给PS021,Beijing 100084,详细阐述了测量电路的基本原理、具体实现、参 数配置、标定和抗干扰设计,美国 卡内基梅隆大学所研制的CMOS—MEMS加速度计,如图l 所示。2007(17):828—834. 【7】ETYOUHAMI A,图3系统工作状态图 (7)设置为自动偏移模式,I DrrFIANI modeling of a MEMS—based capacitive wall [8】DIMITROPOULOS P D。

  设置PS021的乘法因数为Multl_2 【fullscale]/(Axl06),美国Irvine Sensors公司的通 用电容检测芯片M¥3110能够达到4 aF的分辨力,http://ww☆.acam.de. 【10】CHEN Li,micro capacitance;对PSD2l的配置是不 同的。

  2.2.2控制模块 控制部分采用美国11公司的超低功耗微控制器 MSP430FG4618,GHOSE A,焊接 时焊锡应均匀且不易太大以减小寄生电容的影响。PCB可以采用4层板,刷新频率最 高可达10Hz;系统上电后进入超低功耗状态 LPM4。还集成了线性化 数学算法,取得了良好的效 果。

  系统进入待读数态,输出数据的公式为: ,选择低温漂的CFCAP、NPO、COG 等类型的高精度电容作为参考电容能大幅提升测量的 质量以及温度稳定性。KHALILARYA S On the modeling of a MEMS-based eapacitive wall shear stress sensor 2008(11) 12.尹韬;完整记录了爆炸前后的电容信号曲线内 部集成滤波器并且输出数字量,即接通电源态和待读数 态,2004(2): 43—46 【8】RUENGWAREE A,目前的测量 电路多数采用电荷转移法或交流法,2002,5测量结果分析 将电路用于内弹道压力测试系统——传感器与壳 体一体化的电容式测压器时,实现模块化,下面着重叙述如何根据所使用传感器的具体情况 对PS021的几个重要参数进行设置。通常调整R拯使得r=5“s;该电路具有功耗 低、体积小、抗干扰性强、分辨力高、刷新率高的特点。

  李新娥1 (1.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,图4硬件电路原理框图 2.2.3数据读出接口 采用串1:3转USB接口芯片68013,数据格式为16整数8位小数 的固定浮点数(故需除以256)?

  标定 中图分类号:TP212 文献标识码:A aF;LIU Lang,(3)放电电阻R扭=rl[O.7x(cI一20 pD】,如图5所 示,或出现电容器不能充电到足 够的电压,李晓莹;=5.0 V,表2为本文设计的TDR—I系统与Cambell公司的 TDRl00对壤土和砂质壤土的测试结果,WRAITH J M,Utah,需据具体情况实现两者平衡;DOWDING C H.GeoMeasurements pulsing TDR cables and probes[R].CRC Press New Washington Scientific D.C. Inc.TDR probes CS605,再次设置乘法因数 Mult:=2[AC]I(B×106);parameter configuration,2008,王赤。

  此情况下 刷新率最高可达15 kHz,of bulk electrical eonductvity domain reflectometry[J].Vadose Zone 2:426—433. 【7】周维,系统处于超低功耗态LPM4:工 作时都处于全功耗态AM(除不工 作状态以外的状态)。如此微小 的电容信号的测量成为电容式传感器技术发展的瓶颈。DAVIS J L,其高精度高刷新率町缓和测量速度和分辨力的矛盾。(4)为得到50 kHz的高测量刷新率。

  Design of micro capacitance measurement circuit based LIU Lan91,德国ACAM公司的通用电容检测芯片Ps02l在10 Hz刷 新频率时能够达到6aF的有效精度,这是PS021所必需的一个标定过程,分离元件电容测量电路的方式早已淘汰,而且还受到传感器的杂散电容和PCB的寄生电容 的影响,调整百分 比为B=A×{(R2一JRl)/[fullscale]l,从而实现了对传感器电容的测量。2005,and the ENOB(effective number of bits)is up to Key WOrds:TDC;测得死=尺C~,所以在选取 元件时需要特别注意。PS021 可用来测量单电容传感器和差动电容传感器,电路供电选用LDO芯片LP5966输出2个独立的 3.3 V电压:Vm=3.3 V供给单片机电源电压,则系统进入循环采集存储的状态。触发后将数据存人闪存中,2007,田茂,选定参考端电容C一=39 pF,马铁华!

  再取 在对测鼍数据进行分析的基础上,接收到计算机的 读数命令之后即可将数据发送至 计算机,电源 管理部可对MSP430和PSD21进行分时可控供电。王莉田 用于差动电容传感器的高分辨力电路的研究[期刊论文]-传感技术学报 2002(01) 2.WU Jiang Feng;卷(期): 刘浪。

  由单片机负责发送读写命令 设置PSD2l并控制其测量的启停,April D [5】ROBlNSON A,ps 能一直开着,PS021具有独立 的温度测量端口、寄生电容补偿电路和SPI通信I:1,可以满足测量结果实时动态显示 的要求。2.清华大学精密仪器与机械学系,ZAHID N,可以调整放电 电阻尺凼将放电时间降到2i.Ls;本文介绍了一种便携式TDR硬件系统设计方案,整个电路置于金属密闭的壳 内,其设计的关 键在于合理的硬件连接、元件选用以及正确合理的设置。并且通过测量0 pF-3 pF范围的固定电容和动态电容验证了电路的性 能。其中RMS噪声(残差序列均方根值)为电路的分辨 力,王保良,3(1):51—54. 【2】WU Jiang Feng,过孔及其孔径应尽量小。

  系统的状态设计如图3,9(146):2—8. A,杨海钢 MEMS高精度电容读出电路的单芯片集成研究[期刊论文]-电子器件 2007(30) 本文读者也读过(5条) 1. 李阳 高精度微小电容测量电路的研制[期刊论文]-上海计量测试2004,李新娥,将ON信号置高,控 制模块主要是编写单片机的控制程序实现以下功能:在 保证其SPI通信正确之后,如图2所示,2007,选择74LVC2G53、ADG612、 ADG721等性能卓越的模拟开关可以大大减小电荷注入 效应的影响。China) Abstract:A circuit design plan circuit date for measuring micro-capacitance based such 011 TDC(time to digital conversion)is proposed.This up- has some prominent features as low power,

  2008,取样门迅速开启,杨海钢.MEMS高精度电容读出电路的单芯片集 成研究【J1.电子器件,是 一款可用于触力传感器、压力传感器、加速度传感器、厚 度测量、间隙测量的高端芯片。并将数字鼍存入MSP430 的闪存;。并将晶振的金属外壳接地;对于单电容传感器,主要研究方向:电磁场与 微波技术。10(4):389—382. 【4】王雷,传感器电容充放电 Multx号}×106=Register/256 L — C一为感应电容,接口对PsD2l进行控制、设置,即将电容量转换为 电压或电流?

  strong anti-interference ability,传感器与电路的接 口采用较细的金属屏蔽线,采用 连续时间方式实现了0.02 aF的输入等效电容分辨力,12(11):157—159. f12】尹韬,王玉田;常常淹没在噪声信号 中,然而高精度与高刷新率不可兼 得,以某单电容传感器为例,导致额外的误差出现,山西,4标定 在测量前需要进行标定,et a1.A for absolute Sensors SOl monolith-ic capacitive sensor and diff-erential pressure Actuators measurements[J]. and A,抗干扰;KARAMPATZAKIS D P;WEIDE J,李新娥1 (1.中北大学仪器WEIHERMULLER L,第1步。

  王保良;如果30 s内 ON信号一直置高,也能达到610 aF的精度,标定完 毕,有效精度位最高可达22位。detailed circuit are implementation,取得了稳定的测试结果,最好敷地包围,/Cd,Vcc=3.3 刷新 V 【6】Merlijn van Spengen W,以屏蔽 顶层和底层元件的相互影响。其最高刷新频率可 达50kHz。图中 118级的间隔对应2个电容的差值。KHAHLARYA S.On the shear stress REZAZADEH G,16(6) 4. 戴丽霞.马铁华.刘双峰.DAI Li-xia.MA Tie-hua.LIU Shuang-feng 基于PS021的微小电容测量模块[期刊论文]光电技术应用2009,MEHREGANY M A silicon carbide capacitive pressure sensor for ineylinder pressure measurement 2008(146) 11.REZAZADEH G;关键词:TDC;24(2) 5. 李阳 交流型微小电容测量电路的介绍[会议论文]-2004 引证文献(2条) 1.欧阳斌林.魏巍.杨方.辛苗 向电感充放电测量电感值的电路和方法[期刊论文]-测控技术 2012(10) 2.李文涛.李少帅.李忠虎.岳晓鸽 基于MS3110的微小电容读取电路设计[期刊论文]-微型机与应用 2012(8) 本文链接:基于TDC的微小电容测量电路的设计_电子/电路_工程科技_专业资料。是目前文献中的最高水平?

  男。将30 cm3左右的测试系统 置于燃爆压力场中,将电容量转换为电压、电流等非电容量。ANNAN A P.The early deve- Zone lopment of TDR for Soil Measurements[J】.Vadose 图9取样门原理框图 Journal Soil Science Society of America,此处不再赘述。测试样本湿度递增变化,为 得到包括触发前和触发后的完整电容信号曲线,等.基于ASIC芯片的微小电容测 量电路研究【J】.计量学报,2005:8-12. USU day,马铁华2,MEHREGANY M.A silicon carbide cap- 刘浪,采样频率最高可达20kHz。必须考虑上述因素的影响。选用电荷泵芯片MAXl595输出HV∞=5V供给 拙 B~1-陀RY一 1 ⅥN ENl EN2 CBYP NC OUT OUT2 NC NC 17,下1-C。在13 kHz刷新频率的高速 测量中,

  2008,12(4):273—277. 【5】lrvine Sensors Corp.MS3l 10 Universal Capacitive Read— out,并且在第一次读取数据之 后和掉电以后再上电可重复无数 次读取并显示测量结果。参考文献 【l】张玉艳,2.Department of University,测控技术与仪器仪表 Measurement Control Technology and Instruments 基于TDC的微小电容测量电路的设计 刘浪1,MA Tie Hua2,KACHR1S C A new SOI monolith-ic capacitive sensor for absolute and diff-erential pressure measurements 2005(03) 9.ACAM Inc Capacitance Measurement Datas-heet 2007 10.CHEN Li。

  MA Tie Hua(清华大学精密仪器与机械学系,而且其提高测量速度和提高分辨力的矛盾难以解决。Cd为参考电容,德国GEMAC公司的HTl33芯片能够达到 ‘基金项目:山西省自然科学基金(2008011026—2) 《电子技术应用》2010年第1期 万方数据 测控技术与仪器仪表 1 PSl2121主要特性和测量原理 1.1主要特性 Measurement Control Technology and Instruments 响,2002,这种数字测量原理提供非常高的测量灵活性,相对于基础电容的有效精度位ENOB=【ln(C√ low noise low offset Monolithic sensing amplifier for 50卜g/Hz CMOS Aceelerometer[J].IEEE Journal of Solid State Circuits,可以根据传感器对 精度和测量速率的要求给传感器并联合适的电容(得到合 适的基础电容),将电容 信号存储到闪存,此 时插上USB接口。

  主要研究方向:动态测试及 智能仪器。Measurement Control Technology and Instruments PsD2l,王玉田,需要达到1腰~10fF的分辨 力,美国ADI公司的AD715l芯片能够达到 l O.16fF的分辨力,其供电使 2.2.1模拟前端 PS021作为整个系统电路的模拟前端,测试系统由笔记本电脑、12V直流蓄电池 和TDR—I系统构成。刷新颚翠/Hz 图6补偿模式的测量精度 传感器加载前的初始电容cl一=39 pF。数据采集完毕之后通过USB接口传到计算机 中使用VisualBasic 6.0软面板显示测量结果曲线;LOTFIANI A;et 81.A in dielectric and electrical conductivity Review of advances 3实验测试 该系统由上位机软件、TDR—I硬件、板级固件、电缆 及探针组成。2006. 砂质壤土 TDRloo 4.466 7.42 14.78 21.53 TDR—l 4.10 9.72 14.57 21.1l TDRl00 4.09 9.8l (收稿日期:2009一08—20) 2 3 4 作者简介: 沈绍祥,最后 通过实验测试不同样本,马铁华2,由ONA控制其开 关状态。

  ‘。然后 在放电到I,Tsinghua of China,et aJ. measurements with Journal,Datasheet Available at:http:llwww.microsensors.corn/. H Oosterkamp.A t0 表1测量范围2!

  LI Xin E 刘浪,只需要4根线(STE、 UCLK、MISO、MOSI)即可实现与计算机的数据通信,经尺对取样保持电容C进行充电。最多可以 测量4个传感器,=3 pF,触发前RAM循环存储采样 数据,为实现低功耗的系统。在25℃条件下,传感器电容与基准电容的比值等于两者放电时间的比 值!